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원자막증착법(ALD) SnO2 촉매를 적용한AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터 NO2 가스센서NO2 gas sensor using an AlGaN/GaN Heterostructure FET with SnO2 catalyst deposited by ALD technique
- Other Titles
- NO2 gas sensor using an AlGaN/GaN Heterostructure FET with SnO2 catalyst deposited by ALD technique
- Issue Date
- 2020
- Publisher
- 한국전기전자학회
- Keywords
- Atomic layer deposition (ALD); SnO2; AlGaN/GaN HFET; NO2; Sensitivity; In-situ SiN
- Citation
- 전기전자학회논문지, v.24, no.4, pp.1117 - 1121
- Journal Title
- 전기전자학회논문지
- Volume
- 24
- Number
- 4
- Start Page
- 1117
- End Page
- 1121
- ISSN
- 1226-7244
- Abstract
- 본 연구에서는, 원자막증착법(ALD) 공정으로 증착된 SnO2 촉매를 AlGaN/GaN 이종접합 FET에 적용하여 NO2 가스 검출이 가능한 것을 확인하였다. AlGaN/GaN-on-si 플랫폼에서 제작 된 HFET 센서로 NO2 100 ppm 에 대하여 In-situ SiN이있는 소자와 없는 소자가 각각 100 ℃, 200 ℃에서 10.1 % 및 17.7 %, 5.5 % 및 38 % 의 감지성능을 확인하였다.
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Related Researcher
- Kim, Hyung tak
- Engineering (Electronic & Electrical Engineering)