반사방지 나노 구조체를 이용한 AlGaN UV 광다이오드의 광반응도 향상Improved photoresponsivity of AlGaN UV photodiode using antireflective nanostructure
- Other Titles
- Improved photoresponsivity of AlGaN UV photodiode using antireflective nanostructure
- Authors
- 추닥득; 최준행; 김정진; 차호영
- Issue Date
- 2020
- Publisher
- 한국정보통신학회
- Keywords
- AlGaN; 비가시광 UV 광통신; 광다이오드; 반사방지구조; AlGaN; Solar-blind UV optical communication; Photodiode; Anti-reflective structure
- Citation
- 한국정보통신학회논문지, v.24, no.10, pp.1306 - 1311
- Journal Title
- 한국정보통신학회논문지
- Volume
- 24
- Number
- 10
- Start Page
- 1306
- End Page
- 1311
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/12063
- ISSN
- 2234-4772
- Abstract
- 본 연구에서는 Ni cluster를 이용하여 제작된 나노 구조체를 반사방지막으로 활용하여 비가시광 UV 광통신용 신호 수신단에 적용 가능한 AlGaN 광다이오드의 성능을 개선하는 구조를 제안하였다. 반사방지막의 제작은 SiO2 위에 Ni cluster를 형성한 후 SiO2를 부분적으로 식각하는 방식으로 제조하였다. 반사방지막이 적용된 샘플은 반사방지막이 없는 구조의 샘플에 비해 상대적으로 작아진 반사도를 보였으며 나노구조체가 없는 SiO2 가 증착된 구조에 비해서 입사 광파장의 변화에 대해 균일한 반사도를 보였다. 최종적으로 2 nm 두께의 Ni 층을 열처리하여 제작된 Ni cluster를 이용한 반사방지막을 적용하여 UV 광다이오드를 제작하였고, 그 결과 SiO2 단일막을 가진 센서에 비해 240 nm에서 270 nm 파장영역에서 개선된 광반응도를 보였다.
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- Appears in
Collections - College of Engineering > School of Electronic & Electrical Engineering > 1. Journal Articles
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