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열린 비아 Hole의 전기도금 Filling을 이용한 Cu 관통비아 형성공정Cu Through-Via Formation using Open Via-hole Filling with Electrodeposition

Other Titles
Cu Through-Via Formation using Open Via-hole Filling with Electrodeposition
Authors
김재환박대웅김민영오태성
Issue Date
2014
Publisher
한국마이크로전자및패키징학회
Keywords
Cu via; thermal via; TSV; electrodeposition; open via
Citation
마이크로전자 및 패키징학회지, v.21, no.4, pp.117 - 123
Journal Title
마이크로전자 및 패키징학회지
Volume
21
Number
4
Start Page
117
End Page
123
URI
https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/16829
DOI
10.6117/kmeps.2014.21.4.117
ISSN
1226-9360
Abstract
써멀비아나 수직 배선으로 사용하기 위한 Cu 관통비아를 열린 비아 hole의 top-down filling 도금공정과bottom-up filling 도금공정으로 형성 후 미세구조를 관찰하였다. 직류도금전류를 인가하면서 열린 비아 홀 내를 top-downfilling 도금하거나 bottom-up filling 도금함으로써 내부기공이 없는 건전한 Cu 관통비아를 형성하는 것이 가능하였다. 열린 비아 홀의 top-down filling 공정에서는 Cu filling 도금 후 시편의 윗면과 밑면에서 과도금된 Cu 층을 제거하기 위한chemical-mechanical polishing(CMP) 공정이 요구되는데 비해, 열린 비아 홀의 bottom-up filling 공정에서는 과도금된 Cu층을 제거하기 위한 CMP 공정이 시편 윗면에서만 요구되는 장점이 있었다.
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College of Engineering > Materials Science and Engineering Major > 1. Journal Articles

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