열린 비아 Hole의 전기도금 Filling을 이용한 Cu 관통비아 형성공정Cu Through-Via Formation using Open Via-hole Filling with Electrodeposition
- Other Titles
- Cu Through-Via Formation using Open Via-hole Filling with Electrodeposition
- Authors
- 김재환; 박대웅; 김민영; 오태성
- Issue Date
- 2014
- Publisher
- 한국마이크로전자및패키징학회
- Keywords
- Cu via; thermal via; TSV; electrodeposition; open via
- Citation
- 마이크로전자 및 패키징학회지, v.21, no.4, pp.117 - 123
- Journal Title
- 마이크로전자 및 패키징학회지
- Volume
- 21
- Number
- 4
- Start Page
- 117
- End Page
- 123
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/16829
- DOI
- 10.6117/kmeps.2014.21.4.117
- ISSN
- 1226-9360
- Abstract
- 써멀비아나 수직 배선으로 사용하기 위한 Cu 관통비아를 열린 비아 hole의 top-down filling 도금공정과bottom-up filling 도금공정으로 형성 후 미세구조를 관찰하였다. 직류도금전류를 인가하면서 열린 비아 홀 내를 top-downfilling 도금하거나 bottom-up filling 도금함으로써 내부기공이 없는 건전한 Cu 관통비아를 형성하는 것이 가능하였다. 열린 비아 홀의 top-down filling 공정에서는 Cu filling 도금 후 시편의 윗면과 밑면에서 과도금된 Cu 층을 제거하기 위한chemical-mechanical polishing(CMP) 공정이 요구되는데 비해, 열린 비아 홀의 bottom-up filling 공정에서는 과도금된 Cu층을 제거하기 위한 CMP 공정이 시편 윗면에서만 요구되는 장점이 있었다.
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
- Appears in
Collections - College of Engineering > Materials Science and Engineering Major > 1. Journal Articles
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.