고전류밀도 구리도금에서 첨가제에 따른 전기화학적 특성변화 연구Electrochemical Study of the Effect of Additives on High Current Density Copper Electroplating
- Other Titles
- Electrochemical Study of the Effect of Additives on High Current Density Copper Electroplating
- Authors
- 심진용; 문윤성; 이재호
- Issue Date
- 2011
- Publisher
- 한국마이크로전자및패키징학회
- Keywords
- RDE; Copper Electroplating; Thiourea; Glue; Copper Nucleation
- Citation
- 마이크로전자 및 패키징학회지, v.18, no.2, pp.43 - 48
- Journal Title
- 마이크로전자 및 패키징학회지
- Volume
- 18
- Number
- 2
- Start Page
- 43
- End Page
- 48
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/20296
- ISSN
- 1226-9360
- Abstract
- 구리의 전해정련공정에서의 최대 전류밀도는 350 A/m² 이며 생산성의 증가를 위해선 고전류밀도가 필요하다.
회전전극(RDE)을 이용하면 구리의 표면 확산층의 두께조절이 가능하게 되며 안정적인 1000 A/m²의 고전류밀도 구리 도금이 가능하게 된다. 회전 속도 400rpm조건에서 안정적인 고전류밀도 구리 도금이 가능하였다. 구리 전해정련 과정 중 구리표면의 전착특성 향상을 위해 첨가제는 thiourea와 glue가 사용된다. 고전류밀도 조건에서 첨가제의 거동을 알아보기 위해 구리가 전착되는 영역에서 첨가제의 농도에 따른 potentiodynamic polarization 실험을 하였고, 1000 A/m² 조건에서 정전류 실험을 하였다. 동일한 선속도를 인가하기 위해 원통형 회전전극을 이용해 구리도금을 하였고, 도금층의 표면조도 측정에서 thiourea가 16 ppm 들어갔을 때 가장 낮은 조도와 안정적인 취성특성을 나타내었다. 첨가되는 glue의 양이 증가할수록 표면 조도는 증가하였고, 구리도금층의 경도는 큰 차이가 없었다. 결정립 미세화제로 사용되는 thiourea의 첨가량의증가에 따라 구리의 핵 성장은 미세해졌고, glue 첨가량의 증가에 따라서는 핵 성장이 영향을 받지 않았다.
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