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초박형 태양전지 제작에 Porous Silicon Layer Transfer기술 적용을 위한 전기화학적 실리콘 에칭 조건 최적화에 관한 연구Optimization of Electrochemical Etching Parameters in Porous Silicon Layer Transfer Process for Thin Film Solar Cell
- Other Titles
- Optimization of Electrochemical Etching Parameters in Porous Silicon Layer Transfer Process for Thin Film Solar Cell
- Issue Date
- 2011
- Publisher
- 한국마이크로전자및패키징학회
- Keywords
- Porous silicon; Electrochemical etching; Layer transfer; Porosity
- Citation
- 마이크로전자 및 패키징학회지, v.18, no.1, pp.23 - 27
- Journal Title
- 마이크로전자 및 패키징학회지
- Volume
- 18
- Number
- 1
- Start Page
- 23
- End Page
- 27
- ISSN
- 1226-9360
- Abstract
- 전기화학적 에칭을 이용한 다공성 실리콘 이중층 형성은 초박형 태양전지 제작에서 PS layer transfer 기술을적용하기 위한 선행 공정이다. 다공성 실리콘 층의 다공도는 전류밀도와 에칭용액 내 불산의 농도를 조절하여 제어할 수있다. 전기화학적 에칭을 이용한 다공성 실리콘 형성을 위하여 비저항 0.01-0.02 Ω·cm의 p-type (100)의 실리콘 웨이퍼를사용하였으며, 에칭용액의 조성은 HF (40%) : C_(2)H_(5)OH (99 %) : H_(2)O = 1 : 1 : 2 (volume)으로 고정하였다. PS layer transfer 기술에 사용되는 다공성 실리콘 이중층을 형성하기 위해서 에칭 도중 전류밀도를 낮은 전류밀도 조건에서 높은전류밀도 조건으로 변환하여 low porosity layer 하부에 high porosity layer를 형성할 수 있다.
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- Lee, Jae Ho
- Engineering (Advanced Materials)