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Electrodeposition 변수에 따른 Trench Via의 Cu Filling 특성Cu Filling Characteristics of Trench Vias with Variations of Electrodeposition Parameters

Other Titles
Cu Filling Characteristics of Trench Vias with Variations of Electrodeposition Parameters
Authors
이광용오택수오태성
Issue Date
2006
Publisher
한국마이크로전자및패키징학회
Keywords
chip stack; Cu via; electroplating; current density; current mode; chip stack; Cu via; electroplating; current density; current mode
Citation
마이크로전자 및 패키징학회지, v.13, no.4, pp.57 - 64
Journal Title
마이크로전자 및 패키징학회지
Volume
13
Number
4
Start Page
57
End Page
64
URI
https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/24699
ISSN
1226-9360
Abstract
칩 스택 패키지의 삼차원 interconnection에 적용을 위해 폭 75~10㎛, 길이 3mm의 트랜치 비아에 대해 전기도금전류밀도 및 전류모드에 따른 Cu filling 특성을 분석하였다. 직류모드로 1.25mA/cm2에서 Cu filling한 경우, 트랜치 비아의 폭이 75~35㎛ 범위에서는 95% 이상의 높은 Cu filling ratio를 나타내었다. 직류 전류밀도 2.5mA/cm2에서 Cu filling한 경우에는 1.25mA/cm2 조건에 비해 열등한 Cu filling ratio를 나타내었으며, 직류모드에 비해 펄스모드가 우수한 Cu filling 특성을 나타내었다.
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College of Engineering > Materials Science and Engineering Major > 1. Journal Articles

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