Detailed Information
Cited 0 time in 
Cited 0 time in 
Cited 0 time in
Metadata Downloads
다결정 실리콘 박막 위에 P 이온 샤워 도핑 후 열처리 방법에 따르는 도펀트 활성화 및 결함 회복에 관한 효과The Effect of Annealing Methods on Dopant Activation and Damage Recovery of Phosphorous Ion Shower Doped Poly-Si
- Other Titles
- The Effect of Annealing Methods on Dopant Activation and Damage Recovery of Phosphorous Ion Shower Doped Poly-Si
- Issue Date
- 2005
- Publisher
- 한국전기화학회
- Citation
- 전기화학회지, v.8, no.1, pp.24 - 31
- Journal Title
- 전기화학회지
- Volume
- 8
- Number
- 1
- Start Page
- 24
- End Page
- 31
- ISSN
- 1229-1935
- Abstract
- Ion-Shower-Doping 장비 및 PH3/H2 혼합 가스를 사용하여 Phosphorous를 ELA 방법으로 제조된 Poly-Si에 가속 전압 및 조사량을 변수로 이온 주입하였다. as-implanted된 시편의 결정도는 UV-transmittance spectroscopy를 사용하여 측정하였다. 이 때 UV-transmittance를 이용하여 측정한 값은 Raman spectroscopy를 이용해서 측정한 값과 서로 관련되어 있음을 알았다. 면 저항은 가속전압이 1kV에서 15kV 까지 증가함에 따라 감소한다. 그러나 가혹한 도핑조건 하에서는 가속전압의 증가 시 면 저항이 증가한다. 이는 활성화 열처리 후 치유되지 않은 결함에 의해 전자가 포획되며 이에 따라 전하 운반자의 농도가 감소하는 때문이다. 활성화 열처리는 로열처리, RTA 열처리, ELA 열처리 등의 방법으로 수행하였고 열처리 방법에 따르는 도펀트의 활성화 및 결함의 회복의 거동을 연구하였다.
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.