질화갈륨 전력반도체와 Si CMOS 소자의 단일기판집적화를 위한 Si(110) CMOS 공정개발
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김형탁 | - |
dc.date.available | 2020-07-10T04:12:19Z | - |
dc.date.created | 2020-07-06 | - |
dc.date.issued | 2019 | - |
dc.identifier.issn | 1226-7244 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/2596 | - |
dc.description.abstract | 차세대 전력반도체 소재인 질화갈륨(GaN)이 증착된 GaN-on-Si 기판의 기술성숙도가 높아지면서 Si CMOS 소자와의 단일기판 집적화에 대한 관심이 고조되고 있다. CMOS 특성이 상대적으로 저하되는 (111)Si 보다 (110)Si의 CMOS소자가 집적화 관점에서 유리할 것으로 판단되며, 따라서 향후 전개될 GaN-on-(110)Si 플랫폼을 활용한 GaN 전력반도체 스위치소자와Si CMOS소자의 단일기판 집적화에 적용될 수 있도록 국내 Si CMOS 파운드리 공정을 (110)Si 기판에 진행하였다. 제작된CMOS소자의 기본특성 및 인버터체인 회로특성, 그리고 게이트 산화막의 신뢰성 분석을 통해 향후 국내 파운드리공정을 활용한 (110)Si CMOS기술과 GaN의 집적화의 가능성을 검증하였다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국전기전자학회 | - |
dc.title | 질화갈륨 전력반도체와 Si CMOS 소자의 단일기판집적화를 위한 Si(110) CMOS 공정개발 | - |
dc.title.alternative | Development of Si(110) CMOS process for monolithic integration with GaN power semiconductor | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 김형탁 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자학회논문지, v.23, no.1, pp.326 - 329 | - |
dc.relation.isPartOf | 전기전자학회논문지 | - |
dc.citation.title | 전기전자학회논문지 | - |
dc.citation.volume | 23 | - |
dc.citation.number | 1 | - |
dc.citation.startPage | 326 | - |
dc.citation.endPage | 329 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART002454059 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | GaN | - |
dc.subject.keywordAuthor | (110)Si | - |
dc.subject.keywordAuthor | monolithic integration | - |
dc.subject.keywordAuthor | power semiconductor | - |
dc.subject.keywordAuthor | CMOS | - |
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