질화갈륨 전력반도체와 Si CMOS 소자의 단일기판집적화를 위한 Si(110) CMOS 공정개발Development of Si(110) CMOS process for monolithic integration with GaN power semiconductor
- Other Titles
- Development of Si(110) CMOS process for monolithic integration with GaN power semiconductor
- Authors
- 김형탁
- Issue Date
- 2019
- Publisher
- 한국전기전자학회
- Keywords
- GaN; (110)Si; monolithic integration; power semiconductor; CMOS
- Citation
- 전기전자학회논문지, v.23, no.1, pp.326 - 329
- Journal Title
- 전기전자학회논문지
- Volume
- 23
- Number
- 1
- Start Page
- 326
- End Page
- 329
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/2596
- ISSN
- 1226-7244
- Abstract
- 차세대 전력반도체 소재인 질화갈륨(GaN)이 증착된 GaN-on-Si 기판의 기술성숙도가 높아지면서 Si CMOS 소자와의 단일기판 집적화에 대한 관심이 고조되고 있다. CMOS 특성이 상대적으로 저하되는 (111)Si 보다 (110)Si의 CMOS소자가 집적화 관점에서 유리할 것으로 판단되며, 따라서 향후 전개될 GaN-on-(110)Si 플랫폼을 활용한 GaN 전력반도체 스위치소자와Si CMOS소자의 단일기판 집적화에 적용될 수 있도록 국내 Si CMOS 파운드리 공정을 (110)Si 기판에 진행하였다. 제작된CMOS소자의 기본특성 및 인버터체인 회로특성, 그리고 게이트 산화막의 신뢰성 분석을 통해 향후 국내 파운드리공정을 활용한 (110)Si CMOS기술과 GaN의 집적화의 가능성을 검증하였다.
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- Appears in
Collections - College of Engineering > School of Electronic & Electrical Engineering > 1. Journal Articles
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