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Plasma 처리한 유기 절연층을 갖는 유기 박막 트랜지스터의 전기적 특성 연구A Study on the Electrical Characteristics of Organic Thin Film Transistor, OTFT With Plasma-Treated Gate Insulators
- Other Titles
- A Study on the Electrical Characteristics of Organic Thin Film Transistor, OTFT With Plasma-Treated Gate Insulators
- Issue Date
- 2004
- Publisher
- 한국진공학회
- Keywords
- Organic Thin Film Transistor; Plasma Treatment; Organic Thin Film; Organic Semiconductor; Organic Insulator; 유기 박막트랜지스터; 플라즈마 처리; 유기 박막; 유기 반도체; 유기 절연체; Organic Thin Film Transistor; Plasma Treatment; Organic Thin Film; Organic Semiconductor; Organic Insulator
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.13, no.3, pp.99 - 102
- Journal Title
- Applied Science and Convergence Technology
- Volume
- 13
- Number
- 3
- Start Page
- 99
- End Page
- 102
- ISSN
- 1225-8822
- Abstract
- 유기 절연층을 사용한 유기 박막 트랜지스터의 특성 향상을 위해 절연층 표면에 Ar 플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 처리는 절연체 표면의 화학적, 물리적 특성 변화를 통해 그 후에 이어지는 활성층 성막 시 분자들의 결정성을 향상시키기 위한 방법이다. 활성층으로 사용된 물질은 pentacene이며, 절연층으로 사용된 물질은 PVP(Poly-vinyl-phenol)이다. Pentacene는 약 10-6 Torr에서 0.5 Å/sec의 속도로, PVP는 spin coating법에 의해 각각 성막되었다. 형성된 절연층을 일정 시간동안 Ar 플라즈마 처리 한 후 각 소자의 전기적 특성을 측정하여 표면처리에 의한 특성 변화를 살펴보았다.
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