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기생저항 및 트랜지스터 비대칭이 고저항 SRAM 셀의 읽기동작에 미치는 영향Influence of Parasitic Resistances and Transistor Asymmetries on Read Operation of High-Resistor SRAM Cells
- Other Titles
- Influence of Parasitic Resistances and Transistor Asymmetries on Read Operation of High-Resistor SRAM Cells
- Issue Date
- 1997
- Publisher
- 한국전기전자학회
- Keywords
- SRAM; Asymmetry; Cell ratio; Read operation; Noise margin; SRAM; Asymmetry; Cell ratio; Read operation; Noise margin
- Citation
- 전기전자학회논문지, v.1, no.1, pp.11 - 18
- Journal Title
- 전기전자학회논문지
- Volume
- 1
- Number
- 1
- Start Page
- 11
- End Page
- 18
- ISSN
- 1226-7244
- Abstract
- 회로 시뮬레이터를 이용하는 DC 셀 노드전압 분석방법을 적용하여, 고저항 SRAM 셀 구조에서 기생저항들과 트랜지스터 비대칭에 의해 야기되는 정적 읽기동작에서의 동작마진을 조사하였다. 이상적인 셀에 기생저항을 선택적으로 추가함으로써 각 기생저항들이 동작 마진에 끼치는 영향을 조사한 뒤, 기생저항이 좌우대칭 쌍으로 존재하는 경우에 대해 조사하고, 또한 셀 트랜지스터의 채널폭을 선택적으로 변화시켜 트랜지스터의 비대칭을 야기시킴으로써 트랜지스터 비대칭에 의한 동작 마진의 저하를 분석하였다. 분석 방법은 시뮬레이션된 셀 노드전압 특성에서 두 셀 노드전압이 하나의 값으로 수렴되는 전원전압의 값과 에서 셀 노드전압의 차를 비교함으로써 상대적인 동작 마진을 비교하는 방법을 사용하였다. 회로 시뮬레이션에 의존한 본 분석으로부터 셀의 정적 읽기동작에 가장 심각한 영향을 끼치는 기생저항 성분과 트랜지스터의 비대칭 형태를 규명함으로써 새로운 셀 구조 설계시 참고할 수 있는 기준을 제시하였다.
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Related Researcher
- Choi, Jin Young
- Science & Technology (전자전기융합공학과)