P(VDF-TrFE) 유기물 강유전체를 활용한 질화갈륨 네거티브 커패시턴스 전계효과 트랜지스터
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 한상우 | - |
dc.contributor.author | 차호영 | - |
dc.date.available | 2020-07-10T04:35:41Z | - |
dc.date.created | 2020-07-06 | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.issn | 1226-7244 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/4628 | - |
dc.description.abstract | 본 논문에서는 P(VDF-TrFE)유기물 강유전체 기반 metal-ferroelectric-metal (MFM) capacitor 와 차세대 반도체 물질인 질화갈륨 반도체를 활용한 네거티브 커패시턴스 전계효과 트랜지스터를 제작 및 분석 하였다. 27 nm의 두께의 P(VDF-TrFE) MFM 커패시터의 분극지수는 4 MV/cm에서 6 μC/cm2 값을 나타내었으며 약 65 ~ 95 pF의 커패시턴스 값을 나타내었다. 강유전체의 커패시턴스와 전계효과 트랜지스터의 커패시턴스 매칭을 분석하기 위해 제작된 P(VDF-TrFE) MFM 커패시터는 GaN 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극에 집적화 되었으며 집적화되기 전 104 mV/dec 의 문턱전압 이하 기울기에서 82 mV/dec 값으로 개선된 효과를 보였다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국전기전자학회 | - |
dc.title | P(VDF-TrFE) 유기물 강유전체를 활용한 질화갈륨 네거티브 커패시턴스 전계효과 트랜지스터 | - |
dc.title.alternative | Investigation of GaN Negative Capacitance Field-Effect Transistor Using P(VDF-TrFE) Organic/Ferroelectric Material | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 차호영 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자학회논문지, v.22, no.1, pp.209 - 212 | - |
dc.relation.isPartOf | 전기전자학회논문지 | - |
dc.citation.title | 전기전자학회논문지 | - |
dc.citation.volume | 22 | - |
dc.citation.number | 1 | - |
dc.citation.startPage | 209 | - |
dc.citation.endPage | 212 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART002334913 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | Negative capacitance | - |
dc.subject.keywordAuthor | NCFET | - |
dc.subject.keywordAuthor | Ferroelectric | - |
dc.subject.keywordAuthor | GaN | - |
dc.subject.keywordAuthor | Gallium Nitride. | - |
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