P(VDF-TrFE) 유기물 강유전체를 활용한 질화갈륨 네거티브 커패시턴스 전계효과 트랜지스터Investigation of GaN Negative Capacitance Field-Effect Transistor Using P(VDF-TrFE) Organic/Ferroelectric Material
- Other Titles
- Investigation of GaN Negative Capacitance Field-Effect Transistor Using P(VDF-TrFE) Organic/Ferroelectric Material
- Authors
- 한상우; 차호영
- Issue Date
- 2018
- Publisher
- 한국전기전자학회
- Keywords
- Negative capacitance; NCFET; Ferroelectric; GaN; Gallium Nitride.
- Citation
- 전기전자학회논문지, v.22, no.1, pp.209 - 212
- Journal Title
- 전기전자학회논문지
- Volume
- 22
- Number
- 1
- Start Page
- 209
- End Page
- 212
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/4628
- ISSN
- 1226-7244
- Abstract
- 본 논문에서는 P(VDF-TrFE)유기물 강유전체 기반 metal-ferroelectric-metal (MFM) capacitor 와 차세대 반도체 물질인 질화갈륨 반도체를 활용한 네거티브 커패시턴스 전계효과 트랜지스터를 제작 및 분석 하였다. 27 nm의 두께의 P(VDF-TrFE) MFM 커패시터의 분극지수는 4 MV/cm에서 6 μC/cm2 값을 나타내었으며 약 65 ~ 95 pF의 커패시턴스 값을 나타내었다. 강유전체의 커패시턴스와 전계효과 트랜지스터의 커패시턴스 매칭을 분석하기 위해 제작된 P(VDF-TrFE) MFM 커패시터는 GaN 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극에 집적화 되었으며 집적화되기 전 104 mV/dec 의 문턱전압 이하 기울기에서 82 mV/dec 값으로 개선된 효과를 보였다.
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
- Appears in
Collections - College of Engineering > School of Electronic & Electrical Engineering > 1. Journal Articles
![qrcode](https://api.qrserver.com/v1/create-qr-code/?size=55x55&data=https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/4628)
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.