PECVD SiON 절연막을 이용한 4H-SiC MOS 소자 특성 연구
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 김현섭 | - |
dc.contributor.author | 이재길 | - |
dc.contributor.author | 임종태 | - |
dc.contributor.author | 차호영 | - |
dc.date.available | 2020-07-10T04:40:30Z | - |
dc.date.created | 2020-07-06 | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.issn | 1226-7244 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/4743 | - |
dc.description.abstract | 본 논문에서는 플라즈마 화학기상증착 (plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 방식을 이용한 산질화규소 (Silicon oxynitride, SiON) 절연체를 이용하여 4H-SiC metal-oxide-semiconductor (MOS) 소자를 제작하고 특성 분석을 수행하였다. 제작된 소자는 금속 증착 후 열처리 과정 (post metallization annealing, PMA)을 통하여 트랩 밀도가 크게 감소하는 것을 확인하였으며, 특히 500°C의 forming gas 분위기에서 열처리 된 소자의 경우 매우 뛰어난 MOS 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 4H-SiC MOS 구조를 위한 대체 게이트 절연체로써 PECVD SiON의 활용 가능성을 확인 할 수 있었다 | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국전기전자학회 | - |
dc.title | PECVD SiON 절연막을 이용한 4H-SiC MOS 소자 특성 연구 | - |
dc.title.alternative | Study on Characteristics of 4H-SiC MOS Device with PECVD SiON Insulator | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 차호영 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자학회논문지, v.22, no.3, pp.706 - 711 | - |
dc.relation.isPartOf | 전기전자학회논문지 | - |
dc.citation.title | 전기전자학회논문지 | - |
dc.citation.volume | 22 | - |
dc.citation.number | 3 | - |
dc.citation.startPage | 706 | - |
dc.citation.endPage | 711 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART002390260 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | 4H-SiC | - |
dc.subject.keywordAuthor | post metallization annealing | - |
dc.subject.keywordAuthor | MOS | - |
dc.subject.keywordAuthor | effective border trap | - |
dc.subject.keywordAuthor | silicon oxynitride | - |
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