PECVD SiON 절연막을 이용한 4H-SiC MOS 소자 특성 연구Study on Characteristics of 4H-SiC MOS Device with PECVD SiON Insulator
- Other Titles
- Study on Characteristics of 4H-SiC MOS Device with PECVD SiON Insulator
- Authors
- 김현섭; 이재길; 임종태; 차호영
- Issue Date
- 2018
- Publisher
- 한국전기전자학회
- Keywords
- 4H-SiC; post metallization annealing; MOS; effective border trap; silicon oxynitride
- Citation
- 전기전자학회논문지, v.22, no.3, pp.706 - 711
- Journal Title
- 전기전자학회논문지
- Volume
- 22
- Number
- 3
- Start Page
- 706
- End Page
- 711
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/4743
- ISSN
- 1226-7244
- Abstract
- 본 논문에서는 플라즈마 화학기상증착 (plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 방식을 이용한 산질화규소 (Silicon oxynitride, SiON) 절연체를 이용하여 4H-SiC metal-oxide-semiconductor (MOS) 소자를 제작하고 특성 분석을 수행하였다. 제작된 소자는 금속 증착 후 열처리 과정 (post metallization annealing, PMA)을 통하여 트랩 밀도가 크게 감소하는 것을 확인하였으며, 특히 500°C의 forming gas 분위기에서 열처리 된 소자의 경우 매우 뛰어난 MOS 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 4H-SiC MOS 구조를 위한 대체 게이트 절연체로써 PECVD SiON의 활용 가능성을 확인 할 수 있었다
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