그래핀 FET를 이용한 세포 개수 센서Cell Count Sensor using Graphene FET
- Other Titles
- Cell Count Sensor using Graphene FET
- Authors
- 조다애; 송광섭
- Issue Date
- Oct-2021
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- Cell; number of cells; graphene; field effect transistor; Dirac point; current-voltage characteristics; 세포; 세포 개수; 그래핀; 전계효과 트랜지스터; Dirac point; 전류-전압 특성
- Citation
- 전자공학회논문지, v.58, no.10, pp.71 - 76
- Journal Title
- 전자공학회논문지
- Volume
- 58
- Number
- 10
- Start Page
- 71
- End Page
- 76
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/kumoh/handle/2020.sw.kumoh/20027
- ISSN
- 2287-5026
- Abstract
- Polyethylene terephthalate(PET) 기판에 전사된 그래핀 표면에 이온 용액속에서 동작하는 전계 효과 트랜지스터(graphene solution-gated field-effect transistor; G-SGFET)를 제작하였으며 이를 이용하여 배양된 세포 수를 개수하였다. 배양된 세포 수를 개수하기 위하여 G-SGFET 게이트 채널 표면에 세포를 도포하고 온도 37℃, 5% CO2 조건의 인큐베이터 안에서 G-SGFET의 게이트 채널 표면에 세포 부착을 유도하였다. 세포 부착 여부에 따른 전류-전압 특성 변화를 관찰하기 위해 세포 부착 후 G-SGFET의 게이트-소스 전압(VGS)에 따른 드레인-소스 전류(IDS) 특성과 게이트 채널 표면에 세포 부착 전 IDS-VGS 특성과 비교하였다. 게이트 채널 표면에 세포 부착에 따라 G-SGFET의 Dirac point 전압(VDirac)은 부착 되는 세포 수에 따라 0.29 mV/cell 씩 왼쪽으로 이동하였다.
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