4-레벨 낸드 플래시 메모리에서 오류 발생 패턴 제거 변조 부호

Abstract

한 셀에 2비트를 저장하는 낸드 플래시 메모리에서는 한 셀에 저장되는 전압의 양을 4-레벨로 나누어 데이터를 구분한다. 이 4-레벨을 낮은 전압부터 각각 E, P1, P2, P3라고 할 때, 인접한 두 셀이 각각 E와 P3 레벨로 저장하게 되면, 통계적으로 이 부분에서 많은 데이터의 오류가 발생한다. 따라서 본 논문에서는 인접한 두 셀의 값이 E와 P3의 패턴이 연속해서 나오지 않게 하는 부호화 방법을 통하여 연속된 셀에서 E와 P3가 붙어 나오는 패턴을 제거한다. 본 논문에서는 5심볼과 6심볼의 코드워드일 때의 부호/복호 방법을 소개한다. 5심볼을 만드는 부호화 방법은 입력 데이터가 9비트이며, 패리티는 1비트이고 부호율은 0.9이다. 또한, 6심볼을 만드는 부호화 방법은 입력 데이터가 11비트 이며, 패리티는 1비트이며, 부호율은 0.916이다.