유도 결합 플라즈마를 이용한 TaN 박막의 건식 식각 특성

Abstract

본 연구는 TaN의 건식 식각 특성을 연구한 논문이다. CF4/Ar 플라즈마에서의 TaN 박막의 공정 조건에 따른 식각 속도 변화와 박막 표면의 화학적 변화를 연구하였다. 이번 실험에서CF4/Ar=(50%:50%) 플라즈마에서 식각 속도가 높았으며, RF 전력과 직류 바이어스 전압이 높아질수록 식각 속도가 증가하고, 공정 압력이 증가할수록 식각 속도가 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 또한 CF4/Ar 플라즈마 식각 후 x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석을 실행하여, TaN 표면에서의 화학적인 반응을 알아보았다.