적층 금속(Ni/Au, Pt/Au) 구조 Silicon Carbide (SiC) 나노와이어의 오믹 접촉 특성 연구
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 김태홍 | - |
dc.contributor.author | 이상권 | - |
dc.contributor.author | 조남규 | - |
dc.date.accessioned | 2021-10-27T02:40:08Z | - |
dc.date.available | 2021-10-27T02:40:08Z | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.issn | 0374-4914 | - |
dc.identifier.issn | 2289-0041 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/cau/handle/2019.sw.cau/50775 | - |
dc.description.abstract | 본 논문에서는 unintentionally 도핑된 silicon carbide (SiC) 나노와이어 오믹 접촉을 연구하였으며, 이를 위해 두 가지 적층구조의 오믹 접촉 금속(Pt/Au와 Ni/Au)을 이용하였다. 이들에 대한 오믹 접촉 특성은 기존의 박막에서 사용되었던 transmission line model (TLM) 방법을 일부 수정하여 분석하였다. 측정결과 Ni/Au 오믹 접촉 금속의 specific contact resistance (SCR, $\rho_c$)은 5.9 $\times$ 10$^{-6}$ $\pm$ 8.8 $\times$ 10$^{-6}$ $\Omega$cm$^2$ 의 값을 나타내었으며, Pt/Au의 평균 SCR은 3.4 $\times$ 10$^{-3}$ $\pm$ 3.6 $\times$ 10$^{-3}$ $\Omega$cm$^2$ 로 Ni/Au 적층금속이 Pt/Au 적층금속에 비해 약 570배 월등하게 낮은 저항 값을 갖는다. 또한 평균 접촉저항 (contact resistance, $R_c$)값도 Pt/Au의 경우 685.6 $\pm$ 181 k$\Omega$ 값에 비해 Ni/Au는 8.2 $\pm$ 0.2 k$\Omega$으로 약 86배 낮은 $R_c$ 값을 갖는 것을 확인 할 수 있었다. | - |
dc.format.extent | 5 | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | KOR | - |
dc.publisher | 한국물리학회 | - |
dc.title | 적층 금속(Ni/Au, Pt/Au) 구조 Silicon Carbide (SiC) 나노와이어의 오믹 접촉 특성 연구 | - |
dc.title.alternative | Electrical Characteristics of Multiple-metal Ohmic contacts to SiC Nanowires | - |
dc.type | Article | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 새물리, v.57, no.4, pp 291 - 295 | - |
dc.identifier.kciid | ART001287510 | - |
dc.description.isOpenAccess | N | - |
dc.citation.endPage | 295 | - |
dc.citation.number | 4 | - |
dc.citation.startPage | 291 | - |
dc.citation.title | 새물리 | - |
dc.citation.volume | 57 | - |
dc.publisher.location | 대한민국 | - |
dc.subject.keywordAuthor | Silicon carbide | - |
dc.subject.keywordAuthor | Nanowire | - |
dc.subject.keywordAuthor | Ohmic contacts | - |
dc.subject.keywordAuthor | Field-effect Transistor | - |
dc.subject.keywordAuthor | FET | - |
dc.subject.keywordAuthor | Silicon carbide | - |
dc.subject.keywordAuthor | 나노와이어 | - |
dc.subject.keywordAuthor | 오믹 접촉 | - |
dc.subject.keywordAuthor | 전계효과트랜지스터 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
84, Heukseok-ro, Dongjak-gu, Seoul, Republic of Korea (06974)02-820-6194
COPYRIGHT 2019 Chung-Ang University All Rights Reserved.
Certain data included herein are derived from the © Web of Science of Clarivate Analytics. All rights reserved.
You may not copy or re-distribute this material in whole or in part without the prior written consent of Clarivate Analytics.