적층 금속(Ni/Au, Pt/Au) 구조 Silicon Carbide (SiC) 나노와이어의 오믹 접촉 특성 연구Electrical Characteristics of Multiple-metal Ohmic contacts to SiC Nanowires
- Authors
- 김태홍; 이상권; 조남규
- Issue Date
- 2008
- Publisher
- 한국물리학회
- Keywords
- Silicon carbide; Nanowire; Ohmic contacts; Field-effect Transistor; FET; Silicon carbide; 나노와이어; 오믹 접촉; 전계효과트랜지스터
- Citation
- 새물리, v.57, no.4, pp 291 - 295
- Pages
- 5
- Journal Title
- 새물리
- Volume
- 57
- Number
- 4
- Start Page
- 291
- End Page
- 295
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/cau/handle/2019.sw.cau/50775
- ISSN
- 0374-4914
2289-0041
- Abstract
- 본 논문에서는 unintentionally 도핑된 silicon carbide (SiC)
나노와이어 오믹 접촉을 연구하였으며, 이를 위해 두 가지 적층구조의
오믹 접촉 금속(Pt/Au와 Ni/Au)을 이용하였다. 이들에 대한 오믹 접촉
특성은 기존의 박막에서 사용되었던 transmission line model (TLM)
방법을 일부 수정하여 분석하였다. 측정결과 Ni/Au 오믹 접촉 금속의
specific contact resistance (SCR, $\rho_c$)은 5.9 $\times$ 10$^{-6}$
$\pm$ 8.8 $\times$ 10$^{-6}$ $\Omega$cm$^2$ 의 값을 나타내었으며,
Pt/Au의 평균 SCR은 3.4 $\times$ 10$^{-3}$ $\pm$ 3.6 $\times$
10$^{-3}$ $\Omega$cm$^2$ 로 Ni/Au 적층금속이 Pt/Au 적층금속에 비해
약 570배 월등하게 낮은 저항 값을 갖는다. 또한 평균 접촉저항 (contact
resistance, $R_c$)값도 Pt/Au의 경우 685.6 $\pm$ 181 k$\Omega$ 값에
비해 Ni/Au는 8.2 $\pm$ 0.2 k$\Omega$으로 약 86배 낮은 $R_c$ 값을
갖는 것을 확인 할 수 있었다.
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