탄화규소 (3C-SiC) 나노선 트랜지스터의 제작 및 2D ATLAS 시뮬레이션 비교 연구
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김동주 | - |
dc.contributor.author | 이승용 | - |
dc.contributor.author | 형정환 | - |
dc.contributor.author | 이상권 | - |
dc.date.accessioned | 2021-12-03T05:40:09Z | - |
dc.date.available | 2021-12-03T05:40:09Z | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.issn | 0374-4914 | - |
dc.identifier.issn | 2289-0041 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/cau/handle/2019.sw.cau/52215 | - |
dc.description.abstract | 본 연구에서는 탄화규소 나노선 트랜지스터를 제작하여 실제 소자의 전기적인 특성을 분석하였으며 실험에서 나타난 결과를 2D ATLAS 시뮬레이션을 이용하여 비교하였다. 실험에서 제작된 탄화규소 나노선은 hot-wall 방식의 화학기상증착 방법을 이용하여 합성하였으며, 지름은 40 $\sim$ 100 nm 이다. 합성된 탄화규소 나노선을 후면 게이트 전계효과 트랜지스터 (back-gated field-effect transistors) 로 제작하였으며, 이를 2D ATLAS 시뮬레이션을 통해 탄화규소 나노선 트랜지스터 소자 동작특성을 비교 분석하였다. 2D ATLAS 시뮬레이션에서의 탄화규소 나노선의 길이와 채널의 길이, 지름은 제작된 소자와 같은 4 $\mu$m, 3 $\mu$m, 45 nm 이고, 일정한 전하 농도를 갖는다고 가정하였으며, 지름이 작아짐에 따라 나타나는 양자효과는 본 연구에서는 배제하였다. 실험결과와 시뮬레이션의 결과를 비교한 후 전하 농도가 1.5 $\times$ 10$^{17}$ cm$^{-3}$ 일 때 전류 on/off ratio ($I_{on}/I_{off}$) 와 이동도 ($\mu$) 는 각각 6.16 과 3.06 $\times$ 10$^3$ cm$^2$/V$\cdot$s 를 갖는 소자 제작이 가능함을 알 수 있었다. | - |
dc.format.extent | 5 | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | KOR | - |
dc.publisher | 한국물리학회 | - |
dc.title | 탄화규소 (3C-SiC) 나노선 트랜지스터의 제작 및 2D ATLAS 시뮬레이션 비교 연구 | - |
dc.title.alternative | Fabrication of 3C-SiC Nanowire Field-effect Transistors and Their Simulation Study by Using the 2D ATLAS Simulator | - |
dc.type | Article | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 새물리, v.57, no.5, pp 342 - 346 | - |
dc.identifier.kciid | ART001292120 | - |
dc.description.isOpenAccess | N | - |
dc.citation.endPage | 346 | - |
dc.citation.number | 5 | - |
dc.citation.startPage | 342 | - |
dc.citation.title | 새물리 | - |
dc.citation.volume | 57 | - |
dc.publisher.location | 대한민국 | - |
dc.subject.keywordAuthor | SiC Nanowire | - |
dc.subject.keywordAuthor | Nanowire transistor | - |
dc.subject.keywordAuthor | 2D ATLAS simulation | - |
dc.subject.keywordAuthor | 탄화규소 나노선 | - |
dc.subject.keywordAuthor | 나노선 트랜지스터 | - |
dc.subject.keywordAuthor | 시뮬레이션 | - |
dc.subject.keywordAuthor | SiC Nanowire | - |
dc.subject.keywordAuthor | Nanowire transistor | - |
dc.subject.keywordAuthor | 2D ATLAS simulation | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
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