탄화규소 (3C-SiC) 나노선 트랜지스터의 제작 및 2D ATLAS 시뮬레이션 비교 연구Fabrication of 3C-SiC Nanowire Field-effect Transistors and Their Simulation Study by Using the 2D ATLAS Simulator
- Authors
- 김동주; 이승용; 형정환; 이상권
- Issue Date
- 2008
- Publisher
- 한국물리학회
- Keywords
- SiC Nanowire; Nanowire transistor; 2D ATLAS simulation; 탄화규소 나노선; 나노선 트랜지스터; 시뮬레이션; SiC Nanowire; Nanowire transistor; 2D ATLAS simulation
- Citation
- 새물리, v.57, no.5, pp 342 - 346
- Pages
- 5
- Journal Title
- 새물리
- Volume
- 57
- Number
- 5
- Start Page
- 342
- End Page
- 346
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/cau/handle/2019.sw.cau/52215
- ISSN
- 0374-4914
2289-0041
- Abstract
- 본 연구에서는 탄화규소 나노선 트랜지스터를 제작하여 실제 소자의
전기적인 특성을 분석하였으며 실험에서 나타난 결과를 2D ATLAS
시뮬레이션을 이용하여 비교하였다. 실험에서 제작된 탄화규소 나노선은
hot-wall 방식의 화학기상증착 방법을 이용하여 합성하였으며, 지름은 40
$\sim$ 100 nm 이다. 합성된 탄화규소 나노선을 후면 게이트 전계효과
트랜지스터 (back-gated field-effect transistors) 로 제작하였으며,
이를 2D ATLAS 시뮬레이션을 통해 탄화규소 나노선 트랜지스터 소자
동작특성을 비교 분석하였다. 2D ATLAS 시뮬레이션에서의 탄화규소
나노선의 길이와 채널의 길이, 지름은 제작된 소자와 같은 4 $\mu$m, 3
$\mu$m, 45 nm 이고, 일정한 전하 농도를 갖는다고 가정하였으며, 지름이
작아짐에 따라 나타나는 양자효과는 본 연구에서는 배제하였다.
실험결과와 시뮬레이션의 결과를 비교한 후 전하 농도가 1.5 $\times$
10$^{17}$ cm$^{-3}$ 일 때 전류 on/off ratio ($I_{on}/I_{off}$) 와
이동도 ($\mu$) 는 각각 6.16 과 3.06 $\times$ 10$^3$ cm$^2$/V$\cdot$s
를 갖는 소자 제작이 가능함을 알 수 있었다.
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
- Appears in
Collections - College of Natural Sciences > Department of Physics > 1. Journal Articles
![qrcode](https://api.qrserver.com/v1/create-qr-code/?size=55x55&data=https://scholarworks.bwise.kr/cau/handle/2019.sw.cau/52215)
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.