산란계수 측정기반의 PCB 배선구조에 따른 고주파 특성연구

Abstract

고성능 전자시스템의 동작속도가 증가함에 따라 시스템 내의 각종 부품을 연결하는 배선의 중요성이 증가되었다. 반도체 칩 내부(intra-chip)에서 뿐만 아니라 칩 간(chip-to-chip)의 전송속도를 높이기 위해 여러 가지 I/O 기술 (예를 들면, FFE, DFE 등)이 제안되었다. 그러나 수 십 GHz 대역의 동작이 요구되는 최첨단 전자시스템의 최적설계를 위해서는 배선의 고주파 특성분석이 필수적이다. 본 논문에서는 PCB 기판에서 대표적으로 사용되는 배선구조의 산란계수(S-parameter)를 측정하여 기존의 모델과 이론을 재검토 하고, 여러 가지 배선구조의 측정결과를 비교함으로써 배선의 고주파 특성을 고찰한다.