Si(100)기판 위에 성장한 AlxGa1-xSb 의 전기적, 구조적 특성조사

Abstract

Sb기반 화합물 반도체는 고속전자소자 및 장파장 영역의 광소자 응용이 가능한 물질로서 대면저그이 값싼 Si 기판 위에 성장하려는 연구에 관심이 집중되고 있다. 그 중 AlxGa1-x는 Al의 조성에 따라 넓은 밴드갭을 가질 수 있고 산화에 강해 Sb기반의 전자소자 및 광소자 구조의 포텐셜 장벽과 클레드층으로 사용된다. 본 연구에서는 molecular beam epitaxy법을 이용하여 Si(100)기판 위에 AlxGa1-xSb 박막을 성장하였으며 성장조건에 따른 구조적 전기적 특성을 double crystal x-ray diffraction (DCXRD), atomic force microscopy,그리고 temperature dependent Hall측정을 통하여 조사하였다. 또한 schottky diode를 제작하여 Ⅰ-Ⅴ및 C-V 측정을 통하여 전기적 특성을 조사하였다. 성장온도가 570℃이며 Ⅴ/Ⅲ비율이 45인 경우 Al0.8Ga0.2Sb의 DCXRD신호 반치폭이 306 arcsec로 가장 낮게 성장되었고 홀 농도와 이동도는 각각 2.74x10(18제곱)㎤과 298㎠/V.s로 측정되었다.