단결정과 다결정 GaN Nanowire의 저주파 노이즈 특성

Abstract

Nanowire 구조에서 noise는 전기적인 소자에 대한 응용에 있어서 해결해야할 중요한 문제이다. 그렇기 때문에 본 연구에서는 단결정과 다결정 구조의 GaN nanowire를 이용한 전계효과 트랜지스터를 각각 제작하여 GaN nanowire의 저주파 noise 특성을 분석하였다. 저주파에서는 1/f noise와 Generation-recombination (G-R) noise를 확인 할 수 있었으며, 1/fα noise 기울기 α 값의 분석을 통하여, 1/f noise의 기울기가 1.8 - 2.1 까지 drain 전압에 따라 증가하는 경향이 있음을 알게 되었으며, 또한 단결정 GaN nanowire는 다결정에 비하여 저주파에서 noise fluctuation이 발생하는 것이 관찰되었다.