단결정과 다결정 GaN Nanowire의 저주파 노이즈 특성

Abstract

Nanowire 구조에서 noise는 전기적인 소자에 대한 응용에 있어서 해결해야할 중요한 문제이다. 그렇기 때문에 본 연구에서는 단결정과 다결정 구조의 GaN nanowire를 이용한 전계효과 트랜지스터를 각각 제작하여 GaN nanowire의 저주파 noise 특성을 분석하였다. 저주파에서는 1/f noise와 Generation-recombination (G-R) noise를 확인 할 수 있었으며, 1/fα noise 기울기 α 값의 분석을 통하여, 1/f noise의 기울기가 1.8 - 2.1 까지 drain 전압에 따라 증가하는 경향이 있음을 알게 되었으며, 또한 단결정 GaN nanowire는 다결정에 비하여 저주파에서 noise fluctuation이 발생하는 것이 관찰되었다.

Noise in nanostructures is important problems its applications in electronic devices. So we investigated that low-frequency noise characteristics of GaN nanowire and made field effect transistors about single crystalline and poly crystalline GaN nanowire. 1/f noise and Generation-recombination (G-R) noise is observed at low frequency. Low frequency noise suppression is explained by the illumination changing the occupancy of traps responsible for noise.