Detailed Information
Cited 0 time in 
Cited 0 time in 
Cited 0 time in
Metadata Downloads
대기압에서 실리콘 양자점 제조 및 비휘발성 메모리의 응용
- Issue Date
- Apr-2005
- Publisher
- 한국반도체및디스플레이장비학회
- Citation
- 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집, pp.146 - 150
- Indexed
- OTHER
- Journal Title
- 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
- Start Page
- 146
- End Page
- 150
- Abstract
- 상온/상압의 분위기에서 코로나 분사 합성법을 이용하여 반도체 실리콘 나노 입자를 제조하였으며, 실리콘 입자의 전기적 특성을 관찰하기 위해 p-type 실리콘웨이퍼 위에 실리콘 나노 입자를 증착시켰다. 이때, 제조된 실리콘 나노 입자의 크기는 약 10 nm이었으며 기하표준편차는 1.31로 단분산성을 나타내었다. 이러한 조건에서, 실리콘 나노 입자의 양자 점 효과를 이용한 비휘발성 반도체 메모리를 제조하여 메모리효과를 분석한 결과, flat band voltage의 차이가 약 1.5 Volt 발생함을 확인하였다.
- Files in This Item
- Go to Link
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.