As 이온 주입된 비정질 탄소 박막의 마이크로플라즈마 화학기상증착법에 의한 자동 어닐링 효과에 관한 연구Self Annealing Effects of Arsenic Ion Implanted Amorphous Carbon Films during Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition
- Other Titles
- Self Annealing Effects of Arsenic Ion Implanted Amorphous Carbon Films during Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition
- Authors
- 조의식; 권상직
- Issue Date
- 2013
- Publisher
- 한국진공학회
- Keywords
- Arsenic implantation; Amorphous carbon film; Microwave plasma chemical vapour deposition; Field emission; Self-annealing; 비소 이온 주입; 비정질 탄소 박막; 마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착; 전계 방출; 자동 어닐링
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.22, no.1, pp.31 - 36
- Journal Title
- Applied Science and Convergence Technology
- Volume
- 22
- Number
- 1
- Start Page
- 31
- End Page
- 36
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/gachon/handle/2020.sw.gachon/15673
- ISSN
- 2288-6559
- Abstract
- 마이크로플라즈마 화학기상증착법(microwave plasma enhanced chemical vapor deposition, MPCVD)에 의하여 형성된 비정질 탄소 박막의 효율적인 도핑 공정을 위하여, 비정질 탄소 박막의 성장 직전 nucleated seed 상태의 기판 혹은 일부 성장된 박막 위에 비소(As) 이온을 이온 주입하였고 그 직후 다시 MPCVD에 의하여 박막을 성장시켰다. MPCVD에 의한 성장 자체가 약 500~600oC 온도에서의 어닐링 공정을 대체할 수 있으므로, 기존의 이온 주입 후 별도의 어닐링 공정과 비교 시 간략화된 공정으로도 어닐링 효과가 있다고 할 수 있다. 이온 주입 후 박막 성장으로 어닐링 효과를 얻은 비정질 탄소 박막의 경우,2.5 V/μm의 전계에서 약 0.1 mA/cm2의 전계 방출 특성을 관찰할 수 있었고 또한 라만 스펙트럼 특성에서도 다이아몬드 특성 및 그래파이트 특성 모두 뚜렷이 관찰되었다. 전기적, 구조적 특성 관찰로부터 이온 주입된 As 이온이 자동 어닐링 효과에의해 충분히 비정질 탄소 박막에 도핑되었다고 할 수 있다.
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