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CBD 방법에 의한 ZnS 버퍼층 형성의 착화제 농도에 따른 영향Effect of the Concentration of Complexing Agent on the Formation of ZnS Buffer Layer by CBD Method

Other Titles
Effect of the Concentration of Complexing Agent on the Formation of ZnS Buffer Layer by CBD Method
Authors
권상직유인상
Issue Date
2017
Publisher
한국전기전자재료학회
Keywords
CIGS; Solar-cell; Buffer layer; Cd-free; ZnS; CBD
Citation
전기전자재료학회논문지, v.30, no.10, pp.625 - 630
Journal Title
전기전자재료학회논문지
Volume
30
Number
10
Start Page
625
End Page
630
URI
https://scholarworks.bwise.kr/gachon/handle/2020.sw.gachon/6802
DOI
10.4313/JKEM.2017.30.10.625
ISSN
1226-7945
Abstract
본 연구에서는 CdS를 대체하기 위한 물질로서 ZnS를 CBD 방법으로 형성하는 방법에 관해 기술하였다. CBD 방법으로 ZnS 박막을 형성한 경우, 전구체인 ZnSO4와 CS(NH2)2 및 착화제인 NH4OH의 몰 농도를 최적화 시켜면 CIGS의 버퍼층으로서 CdS 대비하여 우수한 특성을 가질 것으로 예상되었다. 특히 증착률, 투과도 및 에너지 밴드갭 측면에서 CIGS의 버퍼층으로 적용하기에 적합한 것으로 나타 났다. ZnS의 최적화를 통해 유해한 특성을 갖는 Cd가 배제된 친환경적인 버퍼층의 제조가 가능할 것으로 기대된다.
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Engineering (Department of Chemical and Biological Engineering)
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