반도체 회로에서의 내방사선 설계 방법 연구 동향

Abstract

Single-Event Effects(SEE)와 Total Ionizing Dose(TID)와 같은 방사선 유발 열화 현상으로부터 회로의 신뢰성을 확보하는 것이 점점 중요한 문제가 되고 있다. 본 논문은 내방사선 설계를 위한 다양한 최신 기법 중 몇 가지 방안을 살펴보며, 구체적으로 1) 인버스 모드(Inverse mode)의 특성을 이용한 SEE 완화 기법, 2) ESD 회로 기반의 SEE 완화 회로, 3) Flip-Flop(FF)의 SEE 오작동을 방지하기 위한 Radiation-Hardened-By-Design(RHBD) FF 회로, 4) DC-DC 변환기에서 SEE를 완화하는 ASET(Analog Single-Event Transients)을 감지하는 회로, 그리고 5) TID 완화를 위한 P-edge NMOS 회로 기법을 소개한다. 언급된 각 기법의 동작 원리를 설명하고 개선점에 대해 논의한다.