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BCl3/He 유도결합 플라즈마를 이용한 TiN 박막의 식각 특성Dry Etching Characteristics of TiN Thin Films in BCl3/He Inductively Coupled Plasma
- Issue Date
- 2012
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Keywords
- TiN; XPS; BCl3/He; ICP; Etch
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.25, no.9, pp 681 - 685
- Pages
- 5
- Journal Title
- 전기전자재료학회논문지
- Volume
- 25
- Number
- 9
- Start Page
- 681
- End Page
- 685
- ISSN
- 1226-7945
- Abstract
- 본 실험에서는 BCl3/He 플라즈마에서 TiN 박막의 공정 조건에 따른 식각 속도 변화와 박막 표면의 화학적 변화를 연구하였다.그 결과 BCl3/He=(25%:75%) 일 때 44.2 nm/min으로 가장 높은 식각 속도를 보였으며, 그 이상의 BCl3 가스를 첨가하였을 경우 식각 속도가 감소하는 것을 알 수 있었다. 식각 된 TiN 표면의 화학적 변화를 관찰하기 위하여 XPS 분석을 실시하였다. Ti 2p와 N 1s의 Intensity와 결합에너지가 화학적 반응으로 인해 변화된 것을 알 수 있었으며, Cl 라디칼에 의해 표면의 화학반응이 일어나 식각이 진행 된다는 것을 알 수 있었다.
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