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GaN계 청색 발광 다이오드에서 저전류 스트레스 후의 광 및 전기적 특성 변화Optical and Electrical Characteristics of GaN-based Blue LEDs after Low-current Stress
- Other Titles
- Optical and Electrical Characteristics of GaN-based Blue LEDs after Low-current Stress
- Issue Date
- Apr-2012
- Publisher
- 한국광학회
- Keywords
- Optical devices; Light-emitting diodes; Reliability
- Citation
- 한국광학회지, v.23, no.2, pp.64 - 70
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 한국광학회지
- Volume
- 23
- Number
- 2
- Start Page
- 64
- End Page
- 70
- ISSN
- 1225-6285
- Abstract
- c-plane 사파이어 기판에서 성장된 1 mm2 대면적 InGaN/GaN 다중양자우물 청색 발광 다이오드의 스트레스 전후의 전기적,광학적 특성 변화를 분석하였다. 스트레스 실험은 샘플 칩을 TO-CAN에 패키징하여 50 mA의 전류를 200시간 동안 인가하여수행하였다. 스트레스 인가 전류는 다이오드의 순전압 특성을 이용한 접합온도(junction temperature) 측정 실험을 통하여 충분히낮은 접합온도를 유지하는 값으로 선택하였다. 이렇게 선택한 50 mA의 전류 인가량에서 접합온도는 약 308 K였다. 308 K의접합온도는 접촉저항(ohmic contact) 또는 GaN계 물질의 특성 변화에 영향을 주지 않는다고 가정하고 실험을 진행하였다. 스트레스 전후에 전류-전압, 광량-전류, 표면 광분포, 파장 스펙트럼 및 상대적 외부양자효율 특성을 측정 및 분석하였다. 측정결과,스트레스 후 저전류 구간에서의 광량이 감소하고 상대적 외부양자효율이 감소하는 현상을 관찰하였다. 우리는 이러한 현상이결함의 증가로 인한 비발광 재결합률 증가로부터 기인함을 이론적으로 검토하고 실험결과의 분석을 통하여 보였다.
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Related Researcher
- Shin, Dong Soo
- COLLEGE OF SCIENCE AND CONVERGENCE TECHNOLOGY (DEPARTMENT OF PHOTONICS AND NANOELECTRONICS)