Detailed Information
Cited 0 time in 
Cited 0 time in 
Cited 0 time in
Metadata Downloads
산소 이온 빔에 의한 산화 알루미늄 박막의 식각 효과 및 정전 용량 특성에 관한 연구A Study on the Etching Effect and the Capacitance of Aluminum Oxide Thin Film by Oxygen Ion Beam
- Other Titles
- A Study on the Etching Effect and the Capacitance of Aluminum Oxide Thin Film by Oxygen Ion Beam
- Issue Date
- 2013
- Publisher
- 한국진공학회
- Keywords
- 알루미늄 산화막; 산소 이온 빔 보조 증착; 식각 효과; 정전 용량; Aluminum oxide; Oxygen ion beam assisted deposition; Etching effect; Capacitance
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.22, no.1, pp.26 - 30
- Journal Title
- Applied Science and Convergence Technology
- Volume
- 22
- Number
- 1
- Start Page
- 26
- End Page
- 30
- ISSN
- 2288-6559
- Abstract
- 고유전율 절연체의 한 종류인 산화알루미늄 박막을 전자빔 증착법으로 형성하는 과정에서 산소 이온 빔의 조사를 이용, 산소이온 빔 보조 증착 효과를 기대하였다. 산소 이온 보조 증착법으로 형성된 산화 알루미늄 박막의 두께 측정 결과, 높은 에너지에서의 이온 빔에 의한 식각 효과를 확인할 수 있었으며, 산소 이온 보조 증착 결과보다 높은 커패시턴스 값도 관찰할 수 있었다.
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
- Appears in
Collections - IT융합대학 > 전자공학과 > 1. Journal Articles
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.